IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

925

600

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

3000

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

600

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1200

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.65

2.00

V

Ben C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.84

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

4.64

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω,L S =20nH, V GE =±15V,T j =25 O C

308

ns

t r

Kalkma zamanı.

42

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

431

ns

t F

Sonbahar zamanı

268

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

15.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

51.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =20 nH ,

V GE =±15V,T j =125 O C

311

ns

t r

Kalkma zamanı.

49

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

467

ns

t F

Sonbahar zamanı

351

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

31.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

69.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =1.2Ω, L S =20 nH ,

V GE =±15V,T j =150 O C

313

ns

t r

Kalkma zamanı.

51

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

475

ns

t F

Sonbahar zamanı

365

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

34.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

71.1

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Ben F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Ben F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j =25 O C

38.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

524

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

34.9

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E - Hayır. 15V, t j = 125O C

82.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

565

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

54.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E - Hayır. 15V, t j = 150O C

94.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

589

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

55.8

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci Nce, terminal chip'e

0.35

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.050

0.080

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G