Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD450HTT120C7S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiş. 1200V 450A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat) Çukur IGBT teknolojisi - Evet.
  • Düşük Değişim kayıpları
  • 10 μs Kısa devre yeteneği
  • RBSOA kare
  • V CE (sat) pozitif sıcaklık katsayısı ile
  • Düşük endüktans Durum
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole edilmiş bakır ba DBC teknolojisi kullanan seplate

Tipik Uygulamalar

  • Motor için inverter Sürmek
  • AC ve DC servoyu Sürmek amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

IGBT-invertör t C =25 °C aksi belirtilmedikçe

En yüksek nominal değerler

Sembolik

Açıklama

GD450HTT120C7S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı @ T j =25 °C

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

900

A

P tot

Toplam Güç Dağılımı @ T j =175 °C

2155

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =150 °C

10

μs

Kapalı Özellikler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR) CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE =V CES V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE =V GES V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Açık Özellikler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =18.0mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Ben C =450A,V GE =15V, t j =125 °C

1.90

Anahtarlama Karakter istikleri

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

E ON

Anahtarlama

Kayıp

V CC =600V,I C =450A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

23.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

31.0

mJ

E tot

Toplam Değişim Kaybı

54.0

mJ

E ON

Anahtarlama

Kayıp

V CC =600V,I C =450A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

36.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

48.0

mJ

E tot

Toplam Değişim Kaybı

84.0

mJ

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, r G =1.6Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

160

ns

t r

Kalkma zamanı.

90

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t F

Sonbahar zamanı

130

ns

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, r G =1.6Ω,

V GE = ± 15V, t j =125 °C

170

ns

t r

Kalkma zamanı.

100

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

570

ns

t F

Sonbahar zamanı

160

ns

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

32.3

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.69

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.46

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C 10 μs,V GE 15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM 1200V

1800

A

r Gint

İç kapı direnci

1.7

Oh

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

4.3

μC

Diyot-dönüştürücü t C =25 °C Başka bir şey olmadıkça Bilgelik not edildi.

En yüksek nominal değerler

Sembolik

Açıklama

GD450HTT120C7S

Birimler

V RRM

Toplayıcı-Sütücü Voltajı @ T j =25 °C

1200

V

Ben F

DC İleri Akım @ t C =80 °C

450

A

Ben FRM

Tekrarlayan Zirve İleri Akım t P = 1ms

900

A

Ben 2t

Ben 2T-değeri,V r =0V, T P =10ms, T j = 125°C

35000

A 2S

Özellikler Değerler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =450A,V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =450A,

V r =600V,

di/dt=-5200A/μs, V GE =-15V

t j =25 °C

45.1

ns

t j =125 °C

84.6

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

316

A

t j =125 °C

404

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

21.1

mJ

t j =125 °C

38.9

Elektrik Özellikler ile ilgili NTC t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 °C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

k

IGBT modülü

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE

Modül Kurşun Direnci C.E., Terminal'den Chip'e. @ T C =25 °C

1.1

m Ω

r θJC

Kavşak -için -Durum (perIGBT )

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.058

0.102

K/W

r θCS

Case-to-Sink (Yönetici yağ) (Devamını oku)

0.005

K/W

t j

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40

125

°C

Montaj

Tork

Güç Terminalı Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

Montaj Vuruş: M6

3.0

6.0

N.M

Ağırlık

Ağırlığı Modül

910

G

Çizelge

image(6778dd5b7b).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000