Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD450HFY120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFY120C6S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiş. 1200V 450A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT Teknoloji
  • 10 μs Kısa devre kapasitesi İletişim
  • V CE (sat ) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • Maksimum Çapraz sıcaklık 175O C
  • Düşük endüktans Durum
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım Paralel karşıt FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve elektrikli ve Hicle
  • Motor için inverter D RIV
  • Kesintisiz güç r tedarik

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

900

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

2173

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

450

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

900

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =450A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =450A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 11.3mA,V CE =V GE ,t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.7

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.31

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

3.50

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

203

ns

t r

Kalkma zamanı.

64

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

491

ns

t F

Sonbahar zamanı

79

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

16.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

38.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

235

ns

t r

Kalkma zamanı.

75

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

581

ns

t F

Sonbahar zamanı

109

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

27.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

55.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

235

ns

t r

Kalkma zamanı.

75

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

621

ns

t F

Sonbahar zamanı

119

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

30.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

61.5

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Ben F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j =25 O C

46

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

428

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

25.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j = 125O C

87

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

523

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

46.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j = 150O C

100

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

546

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

52.3

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.069

0.108

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.030 0.046 0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000