IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD400SGL120C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

650

A

400

Ben CM (1)

Pulsed Collector Curre nt

800

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

400

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 175°C

3000

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =125 °C

10

μs

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t j

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V, t=10ms, T j =125 °C

27500

A 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Montaj Torku

Güç Terminali Vida:M6

2.5'e 5

N.M

Montaj Vuruş: M6

3 için 6

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

BV CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Kapı Yayıcı

sızıntı akımı

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Kapı Yayıcı

Sınır Voltajı

Ben C =8 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Kollektörden

Emiter Doygunluğu

Voltaj

Ben C =400A,V GE =15V, t j =25 °C

1.9

V

Ben C =400A,V GE =15V, t j = 125°C

2.1

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A,

r G =4Ω, V GE = ± 15V,

100

ns

t r

Kalkma zamanı.

60

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

t j =25 °C

420

ns

t F

Sonbahar zamanı

V CC =600V,I C =400A,

r G =4Ω, V GE = ± 15V,

t j =25 °C

60

ns

E ON

Aç

Değişim Kaybı

33

mJ

E OFF

Dönüş -OFF

Değişim Kaybı

42

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A,

r G =4Ω, V GE = ± 15V,

t j = 125°C

120

ns

t r

Kalkma zamanı.

60

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

490

ns

t F

Sonbahar zamanı

75

ns

E ON

Aç

Değişim Kaybı

35

mJ

E OFF

Dönüş -OFF

Değişim Kaybı

46

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

30

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

4

NF

C res

Ters

Transfer Kapasitesi

3

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10μs, V GE =15 V,

t j =125 °C , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

1900

A

r Gint

İç Kapı

direnç

0.5

Ω

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun

Direniş,

Çip'e terminal

t C =25 °C

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A

t j =25 °C

2.1

2.2

V

t j = 125°C

2.2

2.3

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F =400A,

V r =600V,

di/dt=-4000A/μs, V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

40

μC

t j = 125°C

48

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

320

A

t j = 125°C

400

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

12

mJ

t j = 125°C

20

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

Çekim-Kase (IGBT Parçası, pe) r Modülü)

0.05

K/W

r θ JC

Modül başına kesişme (DIODE Parçası) e)

0.09

K/W

r θ CS

Case-to-Sink (Yönetici yağ) (Devamını oku)

0.035

K/W

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G