IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD400SGK120C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

Sembolik

Açıklama

GD400SGK120C2S

Birimler

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20V

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

550

A

400

Ben CM(1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

800

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım nt

400

A

Ben Fm

Diyotun en yüksek ileri akımı nt

800

A

P D

Maksimum güç t j =150 °C

2500

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =1 25°C

10

μs

t j

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 ile +125

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V, t=10ms, T j =125 °C

27500

A 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Montaj

Tork

Güç Terminalı Vuruş: M4

Güç Terminalı Vuruş: M6

1.1'e 2.0

2.5'e 5.0

N.M

Montaj Vuruş: M6

3.0'a 6.0

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

BV CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE =V CES V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE =V GES V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE(th)

Kapı Yayıcı

Sınır Voltajı

Ben C =5.0mA,V CE =V GE ,

t j =25 °C

4.5

5.1

5.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V,T j =25 °C

2.2

V

Ben C =400A,V GE =15V,

t j =125 °C

2.5

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A,

258

ns

t r

Kalkma zamanı.

r G =3.3Ω, V GE = ± 15V,

110

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

t j = 25 °C

285

ns

t F

Sonbahar zamanı

V CC =600V,I C =400A,

r G =3.3Ω, V GE = ± 15V, t j = 25 °C

70

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

45

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

26

mJ

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A,

r G =3.3Ω, V GE = ± 15V, t j = 125°C

260

ns

t r

Kalkma zamanı.

120

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

300

ns

t F

Sonbahar zamanı

80

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

60

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

40

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1.0MHz,

V GE =0V

74.7

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

3.3

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.64

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =125 °C , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

2400

A

L CE

Savrulan endüktansa

16

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun

Direniş, Terminal için Çip

t C =25 °C

0.50

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A

t j =25 °C

2.0

2.3

V

t j =125 °C

2.2

2.5

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F =400A,

V r =600V,

di/dt=-4100A/μs, V GE =-15V

t j =25 °C

31

μC

t j =125 °C

66

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

300

A

t j =125 °C

410

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

12

mJ

t j =125 °C

28

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θJC

Çekim-kaza (IGBT Parçası, başına) 1/2 modül)

0.05

K/W

r θJC

Çekim-kaza (DIODE Parça, başına) 1/2 modül)

0.08

K/W

r θCS

Case-to-Sink (Yönetici yağ) (Devamını oku)

0.035

K/W

Ağırlık

Ağırlığı Modül

340

G