IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD400HFT120C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

600

A

400

Ben CM(1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

800

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım @ T C =80 °C

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

P D

Maksimum güç t j =150 °C

2119

W

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 ile +125

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Güç Terminalı Vuruş: M6

2.5'e 5.0

N.M

Tork

Montaj Vuruş: M6

3.0'a 5.0

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR) CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE =V CES V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE =V GES V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =16mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Ben C =400A,V GE =15V, t j =125 °C

2.00

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =1.8Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

250

ns

t r

Kalkma zamanı.

39

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t F

Sonbahar zamanı

100

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

17.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

42.0

mJ

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =1.8Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

299

ns

t r

Kalkma zamanı.

46

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

605

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

25.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

61.9

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.51

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.31

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

r Gint

İç kapı direnci

1.9

Oh

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci - Ne? Çip'e terminal

t C =25 °C

0.35

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =400A,

V r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =-15V

t j =25 °C

44

μC

t j =125 °C

78

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

490

A

t j =125 °C

555

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

19.0

mJ

t j =125 °C

35.1

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θJC

Kavşak -için -Durum (perIGBT )

0.059

K/W

r θJC

Çapraz-çapraz (her Diyot)

0.106

K/W

r θCS

Kürsüden Lavaboya (Yönetici yağ) uygulanır)

0.035

K/W

Ağırlık

Ağırlığı Modül

300

G