Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD400HFT120B3S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFT120B3S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

700

400

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

2542

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

Ben C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.10

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.9

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.31

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

1.20

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G = 1.8Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

250

ns

t r

Kalkma zamanı.

39

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t F

Sonbahar zamanı

100

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

17.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

42.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G = 1.8Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

299

ns

t r

Kalkma zamanı.

46

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

605

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

25.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

61.9

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G = 1.8Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

320

ns

t r

Kalkma zamanı.

52

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

625

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

30.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

66.8

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V GE - Hayır. 15V, t j =25 O C

44

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

490

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

19.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V GE - Hayır. 15V, t j = 125O C

78

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

555

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

35.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,

V GE - Hayır. 15V, t j = 150O C

90

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

565

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

38.8

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.059

0.106

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G

Çizelge

image(f59f3275a8).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000