IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD2400SGL120C3S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

3400

A

2400

Ben CM (1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

4800

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

2400

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

4800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 150°C

10.4

kw

t j

En yüksek kavşak sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

Güç Terminalı Vuruş: M8

1.8 ile 2.1

8.0'dan 10

N.M

Tork

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =96.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.3

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C = 2400A,V GE =15V, t j =25 °C

2.00

2.45

V

Ben C = 2400A,V GE =15V, t j = 125°C

2.20

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

24.5

μC

r Gint

Dahili Kapı Direnci

t j =25 °C

0.13

Ω

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =2400A, r Goff =0.43Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

210

ns

t r

Kalkma zamanı.

80

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

480

ns

t F

Sonbahar zamanı

60

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

260

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

155

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =2400A, r G =0.43Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125°C

250

ns

t r

Kalkma zamanı.

85

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

550

ns

t F

Sonbahar zamanı

90

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

360

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

250

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

170

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

11.4

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

7.52

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

TBD

A

L CE

Savrulan endüktansa

12

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci ce, Çip'e terminal

0.19

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =2400A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j = 125°C

1.85

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =2400A,

V r =600V,

r G =0.43Ω,

V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

315

μC

t j = 125°C

530

Ben RM

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

2000

A

t j = 125°C

2700

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

115

mJ

t j = 125°C

240

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

İlişki (İGB başına) T)

12

K/kW

r θ JC

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

22

K/kW

r θ CS

Çuvaldan Dökme

(Yönetici yağ uygulanır, Modül)

6

K/kW

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

1500

G