IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD1200SGL120C3S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Kollektör Akımı

@ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

A

1200

Ben CM (1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

2400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

1200

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

2400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 175°C

8823

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =125 °C

10

μs

t j

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V, t=10ms, T j =125 °C

300

kA 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Montaj

Tork

Güç Terminali Vida:M4

Güç Terminal Vida:M8

1.7 ile 2.3

8.0'dan 10

N.M

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

BV CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

800

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.5

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C = 1200A,V GE =15V, t j =25 °C

1.9

V

Ben C = 1200A,V GE =15V, t j = 125°C

2.1

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

r Gint

Dahili Kapı Direnci

t j =25 °C

1.2

Ω

Q GE

Geçit Ücreti

Ben C = 1200A,V CE =600V, V GE - Hayır. 15...+15V

12.5

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =1200A,

r G =0,82Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

790

ns

t r

Kalkma zamanı.

170

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1350

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =1200A,

r G =0,82Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125°C

850

ns

t r

Kalkma zamanı.

170

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1500

ns

t F

Sonbahar zamanı

220

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

155

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

190

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

92.0

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

8.40

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

6.10

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

7000

A

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

r CC + EE ’

Modül uç direnci e, Çip'e terminal

t C =25 °C ,anahtar başına

0.10

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F = 1200A

t j =25 °C

1.9

V

t j = 125°C

2.1

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F = 1200A,

V r =600V,

di/dt=-6800A/μs, V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

110

μC

t j = 125°C

220

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

760

A

t j = 125°C

990

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

47

mJ

t j = 125°C

82

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

Çekim-Kase (IGBT Parçası, pe) r Modülü)

0.017

K/W

r θ JC

Junction-to-Case (Diyot Parçası, Modül başına (le)

0.025

K/W

r θ CS

Çuvaldan Dökme

(Yönetici yağ uygulanır, Modül)

0.006

K/W

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

1500

G