IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD300SGL120C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

600

A

300

Ben CM (1)

Pulsed Collector Curre nt

600

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

300

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 175°C

3000

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =125 °C

10

μs

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t j

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V, t=10ms, T j =125 °C

19000

A 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Montaj Torku

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

1. 1 ile 2.0

N.M

Güç Terminali Vida:M6

2.5'e 5.0

Montaj Vuruş: M6

3 için 6

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

BV CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C = 12mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =300A,V GE =15V, t j =25 °C

1.9

V

Ben C =300A,V GE =15V, t j = 125°C

2.1

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =300A,

90

ns

t r

Kalkma zamanı.

r G =4.7Ω, V GE = ± 15 V, t j =25 °C

55

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

460

ns

t F

Sonbahar zamanı

V CC =600V,I C =300A,

r G =4.7Ω, V GE = ± 15 V, t j =25 °C

55

ns

E ON

Açma Anahtarlama

Kayıp

28

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

25

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =300A, r G =4.7Ω, V GE = ± 15 V, t j = 125°C

110

ns

t r

Kalkma zamanı.

60

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t F

Sonbahar zamanı

60

ns

E ON

Açma Anahtarlama

Kayıp

31

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

27

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

21

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.5

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.9

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10μs, V GE =15 V, t j =125 °C , V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül uç direnci e, Çip'e terminal

t C =25 °C

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =300A

t j =25 °C

2.0

2.4

V

t j = 125°C

2.2

2.5

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F =300A,

V r =600V,

di/dt=-2400A/μs, V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

27

μC

t j = 125°C

50

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

120

A

t j = 125°C

170

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

9

mJ

t j = 125°C

20

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

Çekim-Kase (IGBT Parçası, pe) r Modülü)

0.06

K/W

r θ JC

Modül başına kesişme (DIODE Parçası) e)

0.12

K/W

r θ CS

Case-to-Sink (Yönetici yağ) (Devamını oku)

0.035

K/W

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

310

G