IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1410

900

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

5000

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =900A,V GE =15V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben C =900A,V GE =15V, t j =125 O C

2.10

Ben C =900A,V GE =15V, t j =150 O C

2.15

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.6

Ω

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15V... +15V

7.40

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A,

r Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j =25 O C

257

ns

t r

Kalkma zamanı.

96

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

628

ns

t F

Sonbahar zamanı

103

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

43

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

82

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A,

r Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω,

V GE =±15V,T j = 125O C

268

ns

t r

Kalkma zamanı.

107

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

659

ns

t F

Sonbahar zamanı

144

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

59

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

118

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A,

r Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω,

V GE =±15V,T j = 150O C

278

ns

t r

Kalkma zamanı.

118

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

680

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

64

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

134

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.71

2.16

V

Ben F =900A,V GE =0V,T j = 125O C

1.74

Ben F =900A,V GE =0V,T j = 150O C

1.75

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

76

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

513

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

38.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

143

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

684

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

71.3

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

171

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

713

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

80.8

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.18

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.030

0.052

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G