Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD900HFX120P1SA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFX120P1SA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 900A.

Özellikler

  • Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT Teknoloji
  • 10 μs Kısa devre kapasitesi İletişim
  • V CE (sat ) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • Maksimum Çapraz sıcaklık 175O C
  • Düşük endüktans Durum
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
  • Yüksek güç ve ısı döngüsü kapasabil Bu

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiricisi
  • Güneş Enerjisi
  • Hibrit ve Elektrikli Araç

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1522

900

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

5.24

kw

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

900

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1800

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =900A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =900A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =900A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.63

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

93.2

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

2.61

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 +15V

6.99

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

214

ns

t r

Kalkma zamanı.

150

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

721

ns

t F

Sonbahar zamanı

206

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

76

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

128

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω,

V GE =±15V, t j =125 O C

235

ns

t r

Kalkma zamanı.

161

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

824

ns

t F

Sonbahar zamanı

412

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

107

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

165

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω,

V GE =±15V, t j =150 O C

235

ns

t r

Kalkma zamanı.

161

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

876

ns

t F

Sonbahar zamanı

464

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

112

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

180

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3600

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.25

V

Ben F =900A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Ben F =900A,V GE =0V,T j = 150O C

1.80

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

86

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

475

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

36.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j = 125O C

143

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

618

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

71.3

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V t j = 150O C

185

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

665

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

75.1

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

18

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.30

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

28.6

51.9

K/kW

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

14.0

25.3

4.5

K/kW

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M5 vida

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

825

G

Çizelge

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000