IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±30

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1250

800

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

1600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

4166

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

800

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1600

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =800A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =800A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =800A,V GE = 15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =32.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.13

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

79.2

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

2.40

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE = 15V

4.80

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

408

ns

t r

Kalkma zamanı.

119

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

573

ns

t F

Sonbahar zamanı

135

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

21.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

72.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

409

ns

t r

Kalkma zamanı.

120

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

632

ns

t F

Sonbahar zamanı

188

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

26.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

107

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

410

ns

t r

Kalkma zamanı.

123

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

638

ns

t F

Sonbahar zamanı

198

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

28.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

112

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Ben F =800A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

81.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

518

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

39.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

136

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

646

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

65.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

155

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

684

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

76.6

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.18

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.036

0.048

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G