Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD800HFL170C3S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFL170C3S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 800A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satür) SPT+ IGBT Teknoloji
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • VCE (sat) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiriciler
  • Motorlu Sürücüler
  • Rüzgar Türbinleri

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1050

800

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

4.85

kw

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

800

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1600

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =800A,V GE =15V, t j =25 O C

2.50

2.95

V

Ben C =800A,V GE =15V, t j =125 O C

3.00

Ben C =800A,V GE =15V, t j =150 O C

3.10

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =32.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.4

7.4

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.0

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.84

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

6.2

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =800A, r G = 1,5Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

235

ns

t r

Kalkma zamanı.

110

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

390

ns

t F

Sonbahar zamanı

145

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

216

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

152

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =800A, r G = 1,5Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

250

ns

t r

Kalkma zamanı.

120

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

475

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

280

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

232

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =800A,

r G = 1,5Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

254

ns

t r

Kalkma zamanı.

125

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t F

Sonbahar zamanı

160

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

312

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

256

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2480

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =800A,V GE =0V, T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =800A,V GE =0V, T j = 125O C

1.95

Ben F =800A,V GE =0V, T j = 150O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

232

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

720

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

134

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

360

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

840

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

222

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15V, t j = 150O C

424

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

880

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

259

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.37

r θ JC

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

30.9

49.0

K/kW

r θ CS

Kavşa-Sink (IGBT başına)

Kasadan Dökmeciye (diyot başına)

19.6

31.0

K/kW

r θ CS

Çuvaldan Dökme

6.0

K/kW

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1500

G

Çizelge

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000