IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD800HFL120C3S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1250

A

800

Ben CM(1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

1600

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

800

A

Ben Fm

Diyot maksimum ileri akımı

1600

A

P D

Maksimum güç t j =150 °C

4310

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =125 °C

10

μs

t j

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 ile +125

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V, t=10ms, T j =125 °C

140

kA 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Tork

Güç Terminalı Vuruş: M4

Güç Terminalı Vuruş: M8

1.7 ile 2.3

8.0'dan 10

N.M

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

BV CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE =V CES V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE =V GES V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =32mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =800A,V GE =15V, t j =25 °C

1.8

V

Ben C =800A,V GE =15V, t j =125 °C

2.0

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Q GE

Geçit Ücreti

Ben C =800A,V CE =600V,

V GE =-15…+15V

11.5

μC

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A,

r Git =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

V GE =± 15V,T j =25 °C

600

ns

t r

Kalkma zamanı.

230

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

820

ns

t F

Sonbahar zamanı

150

ns

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A,

r Git =3.3Ω,

r Goff =0.39Ω,

V GE =± 15V,T j =125 °C

660

ns

t r

Kalkma zamanı.

220

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

960

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

160

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

125

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

61.8

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

4.2

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

2.7

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3760

A

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci ce, Çip'e terminal

t C =25 °C

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =800A

t j =25 °C

2.4

V

t j =125 °C

2.2

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F =800A,

V r =600V,

di/dt=-3600A/μs, V GE =-15V

t j =25 °C

37

μC

t j =125 °C

90

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

260

A

t j =125 °C

400

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

9

mJ

t j =125 °C

24

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θJC

Junction-to-Case (IGBT Parça, her 1/2 modül)

0.029

K/W

r θJC

Junction-to-Case (Diyot Parça, her 1/2 modül)

0.052

K/W

r θCS

Çuvaldan Dökme

(Yönetici yağ uygulanır, Modül)

0.006

K/W

Ağırlık

Ağırlığı Modül

1500

G