IGBT Modülü 1700V

Sembolik

Açıklama

GD600HFT170C3S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

950

A

600

Ben CM(1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

1200

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım nt

600

A

Ben Fm

Diyotun en yüksek ileri akımı nt

1200

A

P D

Maksimum güç t j =175 °C

3571

W

t j

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 ile +125

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Montaj

Tork

Güç Terminalı Vuruş: M4

Güç Terminalı Vuruş: M8

1.8 ile 2.1

8.0'dan 10

N.M

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR) CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1700

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE =V CES V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE =V GES V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =24mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =600A,V GE =15V, t j =25 °C

2.00

2.45

V

Ben C =600A,V GE =15V, t j =125 °C

2.40

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

7.0

μC

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =600A, r Git =2.4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

650

ns

t r

Kalkma zamanı.

155

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1300

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

125

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

186

mJ

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =600A, r Git =2.4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 °C

701

ns

t r

Kalkma zamanı.

198

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1590

ns

t F

Sonbahar zamanı

302

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

186

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

219

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

52.8

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

2.20

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.75

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =125 °C V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

r Gint

İç kapı direnci

1.3

Ω

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =600A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =600A,

V r =900V,

di/dt=-3800A/μs, V GE =-15V

t j =25 °C

580

μC

t j =125 °C

640

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

160

A

t j =125 °C

258

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

96

mJ

t j =125 °C

171

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θJC

Çapraz-çapraz (her IGBT)

42

K/kW

r θJC

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

94

K/kW

r θCS

Çuvaldan Dökme

(Yönetici yağ uygulanır, Modül)

6

K/kW

Ağırlık

Ağırlığı Modül

1500

G