GD450HFL170C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 450A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD450HFL170C2S

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 450A.

Özellikler

Tipik Uygulamalar

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik	Açıklama	değer	birim
VCES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1700	V
VGES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ic	Toplayıcı Akımı @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	A
ICM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı tp=1ms	900	A
PD	Maksimum Güç Dağılımı T =175oC	2678	W

Diyot

Sembolik	Açıklama	değer	birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı	1700	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Kur kira	450	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	900	A

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	birim
t jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	O C
t Yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	O C
t STG	Depolama Sıcaklığı Menzil	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	birim
VCE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	V
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
VGE (th)	Kapı-Emitör Sınır Voltajı	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	V
ICES	Toplayıcı kesimi akım	VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25oC			5.0	mA
IGES	Geçit-Emitör Sızıntı Akımı	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	NA
RGint	İç kapı direnci			0.3		Ω
- Evet.	Girdi Kapasitesi	VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V		30.0		NF
Cres	Geriye dönüştürme Kapasite	VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V		1.08		NF
Genel Merkezi	Geçit Ücreti	VGE=-15…+15V		2.70		μC
Td ((on)	Açma Gecikme Zamanı	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		504		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.			183		ns
Td ((off)	Kapatma gecikme süresi			616		ns
TF	Sonbahar zamanı			188		ns
Eon	Açma Anahtarlama Kayıp			126		mJ
Eof	Kapatma Değiştirme Kayıp			89		mJ
Td ((on)	Açma Gecikme Zamanı	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		506		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.			194		ns
Td ((off)	Kapatma gecikme süresi			704		ns
TF	Sonbahar zamanı			352		ns
Eon	Açma Anahtarlama Kayıp			162		mJ
Eof	Kapatma Değiştirme Kayıp			124		mJ
Td ((on)	Açma Gecikme Zamanı	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		510		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.			198		ns
Td ((off)	Kapatma gecikme süresi			727		ns
TF	Sonbahar zamanı			429		ns
Eon	Açma Anahtarlama Kayıp			174		mJ
Eof	Kapatma Değiştirme Kayıp			132		mJ
Isc	SC Verileri	tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =450A,V GE =0V,T j =25 O C		1.87	2.32	V
		Ben F =450A,V GE =0V,T j = 125O C		2.00
		Ben F =450A,V GE =0V,T j = 150O C		2.05
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		107		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			519		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			75		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j = 125O C		159		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			597		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			113		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE =-15V t j = 150O C		170		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			611		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			119		mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim
L CE	Savrulan endüktansa			20	nH
r CC+EE	Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe		0.35		mΩ
r - Yürü	İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod)			0.056 0.112	K/W
r thCH	Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)		0.105 0.210 0.035		K/W
m	Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		300		G