IGBT Modülü 1700V

Sembolik

Açıklama

GD400SGT170C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

700

A

400

Ben CM (1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

800

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

400

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 175°C

3000

W

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =125 °C

10

μs

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

Ben 2t-değeri,Diyot

V r =0V,t=10ms,T j =125 °C

25500

A 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montaj Torku

Güç Terminali Vida:M4

Güç Terminali Vida:M6

1.1'e 2.0

2.5'e 5.0

N.M

Montaj Vuruş: M6

3.0'a 5.0

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

V GE =0V, Ben C = 14mA, t j =25 °C

1700

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

3.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C = 16mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V, t j =25 °C

2.00

2.45

V

Ben C =400A,V GE =15V, t j = 125°C

2.40

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =400A,

278

ns

t r

Kalkma zamanı.

r G =3.6Ω,V GE = ± 15 V,

81

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

t j =25 °C

802

ns

t F

Sonbahar zamanı

V CC =900V,I C =400A, r G =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 °C

119

ns

E ON

Açma Anahtarlama

Kayıp

104

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

86

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =400A, r G =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125°C

302

ns

t r

Kalkma zamanı.

99

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1002

ns

t F

Sonbahar zamanı

198

ns

E ON

Açma Anahtarlama

Kayıp

136

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

124

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.5

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.2

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =125 °C V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

r Gint

İç kapı direnci - Çabuk

1.9

Ω

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci ce, Çip'e terminal

t C =25 °C

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j = 125°C

1.90

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F =400A,

V r =900 V,

di/dt=-4250A/μs, V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

99

μC

t j = 125°C

172

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

441

A

t j = 125°C

478

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

53

mJ

t j = 125°C

97

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

Çekim-Kase (IGBT Parçası, pe) r Modülü)

0.05

K/W

r θ JC

Modül başına kesişme (DIODE Parçası) e)

0.09

K/W

r θ CS

Case-to-Sink (Yönetici yağ) (Devamını oku)

0.035

K/W

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G