Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD225HTT120C7S, IGBT Modülü, 6 birleşik paket, STARPOWER

1200V 225A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HTT120C7S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 225A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Düşük değişim kayıpları
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı Y

IGBT -Değiştiriciler t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

En yüksek nominal değerler

Sembolik

Açıklama

GD225HTT120C7S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı @ T j =25 °C

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı @ T j =25 °C

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

400

225

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1 Bayan

450

A

P tot

Toplam Güç Dağılımı @ T j =175 °C

1442

W

Kapalı Özellikler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Açık Özellikler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =225A,V GE =15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Ben C =225A,V GE =15V, t j =125 °C

2.00

Anahtarlama Özellikleri

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 °C

251

ns

t r

Kalkma zamanı.

89

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

550

ns

t F

Sonbahar zamanı

125

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

/

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

/

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =125 °C

305

ns

t r

Kalkma zamanı.

100

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

660

ns

t F

Sonbahar zamanı

162

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

15.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

35.9

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

16.0

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

0.84

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.73

NF

Q G

Geçit Ücreti

V CC =600V,I C =225A, V GE =15V

2.1

μC

r Gint

Dahili Kapı Direnci

3.3

Ω

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Diyot -Değiştiriciler t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

En yüksek nominal değerler

Sembolik

Açıklama

GD225HTT120C7S

Birimler

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj @ T j =25 °C

1200

V

Ben F

DC İleri Akım @ T C =80 °C

225

A

Ben FRM

Tekrarlayan Zirve İleri Akım t P =1ms

450

A

Özellikler Değerler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =225A,

V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =225A,

V r =600V,

r G =3.3Ω,

V GE =-15V

t j =25 °C

22

μC

t j =125 °C

43

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

160

A

t j =125 °C

198

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

11.2

mJ

t j =125 °C

19.9

Elektrik Özellikler ile ilgili NTC t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

IGBT modülü

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül uç direnci e, Terminal'den Çip'e @ T C =25 °C

1.10

r θ JC

Birleme-Noktası ile Vucuta (her IGBT-inverter başına) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter)

0.104

0.173

K/W

r θ CS

Kürsüden Lavaboya (Yönetici yağ uygulaması) yalan söyledi)

0.005

K/W

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40

125

°C

Montaj Tork

Güç Terminali Vida:M6

Montaj Vuruş: M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Ağırlığı Modül

910

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000