IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±30

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 °C

@ T C =100 °C

330

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =17 5°C

1103

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 °C

1.95

Ben C =200A,V GE =15V, t j =150 °C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

18.2

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.56

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =15V

1.20

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =25 °C

213

ns

t r

Kalkma zamanı.

64

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

280

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

4.10

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

16.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =125 °C

285

ns

t r

Kalkma zamanı.

78

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

363

ns

t F

Sonbahar zamanı

278

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

7.40

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

23.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =150 °C

293

ns

t r

Kalkma zamanı.

81

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t F

Sonbahar zamanı

327

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

8.70

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

25.2

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 °C V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben C =200A,V GE =0V,T j =25 °C

2.15

2.55

V

Ben C =200A,V GE =0V,T j =125 °C

2.20

Ben C =200A,V GE =0V,T j =150 °C

2.15

Q r

Geri kazanılmış

şarj

V r =600V,I F =200A,

r G =3.0Ω, V GE =-15V

t j =25 °C

16.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

169

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

10.2

mJ

Q r

Geri kazanılmış

şarj

V r =600V,I F =200A,

r G =3.0Ω, V GE =-15V

t j =125 °C

24.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

204

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

16.2

mJ

Q r

Geri kazanılmış

şarj

V r =600V,I F =200A,

r G =3.0Ω, V GE =-15V

t j =150 °C

31.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

222

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

19.4

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

26

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

0.62

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.136

0.194

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.156

0.223

0.046

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

200

G