IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±30

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

310

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

1034

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

18.2

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.56

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =15V

1.20

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

213

ns

t r

Kalkma zamanı.

64

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

280

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

4.10

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

16.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

285

ns

t r

Kalkma zamanı.

78

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

363

ns

t F

Sonbahar zamanı

278

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

7.40

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

23.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

293

ns

t r

Kalkma zamanı.

81

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t F

Sonbahar zamanı

327

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

8.70

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

25.2

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j =25 O C

17.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

245

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

8.00

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j = 125O C

32.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

260

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j = 150O C

37.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

265

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

15.3

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

2.20

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.145

0.243

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.064

0.107

0.02

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

200

G