GD200HFT120C2S_T4F, IGBT Modülü, STARPOWER

GD200HFT120C2S_T4F,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C2S_T4F

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

Tipik Uygulamalar

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Açıklama	GD200HFT120C2S_T4F	Birimler
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ t C =25 °C @ T C = 100°C	300 200	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1 Bayan	400	A
Ben F	Diyot Sürekli İleri Kur kira	200	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	400	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =1 75°C	1119	W
t jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	°C
t Yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	°C
t STG	Depolama Sıcaklığı Menzil	-40'tan +125'e kadar	°C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montaj Tork	Güç Terminali Vida:M6 Montaj Vida:M6	2.5'e 5.0 3.0'a 5.0	N.M
Ağırlık	Ağırlığı Modül	300	G

Elektrik Özellikler ile ilgili IGBT t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Kapalı Özellikler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V (BR )CES	Kollektör-Emiter Kırılma Voltajı	t j =25 °C	1200			V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C			400	NA

Açık Özellikler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =7.6 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C	5.1	5.8	6.4	V
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 °C		2.05	2.45	V
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 °C		2.40		V

Anahtarlama Özellikleri

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 °C		362		ns
t r	Kalkma zamanı.			112		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			378		ns
t F	Sonbahar zamanı			115		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			17.4		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			9.50		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125°C		364		ns
t r	Kalkma zamanı.			113		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			405		ns
t F	Sonbahar zamanı			125		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			21.5		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			15.4		mJ
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.3		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.69		NF
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs,V GE =15 V, t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		800		A
r Gint	İç kapı direnci - Ne?			3.8		Ω
L CE	Savrulan endüktansa				20	nH
r CC+EE	Modül Kurşun Direniş, Çip'e terminal			0.35		mΩ

Elektrik Özellikler ile ilgili Diyot t C =25 °C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları		Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =200A	t j =25 °C		1.95	2.35	V
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =200A	t j =125 °C		2.05		V
Q r	Geri kazanılmış şarj	Ben F =200A, V r =600V, r G =4.7Ω, V GE =-15V	t j =25 °C		10.1		μC
Q r	Geri kazanılmış şarj		t j =125 °C		21.5		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı		t j =25 °C		113		A
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı		t j =125 °C		170		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji		t j =25 °C		5.07		mJ
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji		t j =125 °C		13.6		mJ

Termal Karakteristik ics

Sembolik	Parametre	Tipik.	Max.	Birimler
r θ JC	İlişki (İGB başına) T)		0.134	K/W
r θ JC	Çapraz-Kase (D başına) (iod)		0.194	K/W
r θ CS	Kürsüden Lavaboya (Yönetici yağ uygulaması) yalan söyledi)	0.035		K/W