IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±30

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =85 O C

285

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

882

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.9

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

200

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

17.0

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.55

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.07

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

296

ns

t r

Kalkma zamanı.

77

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

391

ns

t F

Sonbahar zamanı

172

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

4.25

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

16.2

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

272

ns

t r

Kalkma zamanı.

79

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

423

ns

t F

Sonbahar zamanı

232

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

6.45

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

22.6

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

254

ns

t r

Kalkma zamanı.

80

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

430

ns

t F

Sonbahar zamanı

280

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

8.30

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

24.3

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

18.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

240

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

8.10

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 125O C

33.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =-15V t j = 150O C

38.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

260

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

16.0

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.75

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.170

0.280

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.161

0.265

0.050

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

150

G