IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD200HFL120C8SN

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ t C =25 °C

@ T C = 100°C

400

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1 Bayan

400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =1 75°C

1724

W

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montaj Tork

Güç Terminal Vida:M5

Takıma Çivisi:M5

2.5'e 3.5

2.5'e 3.5

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 °C

1.90

2.35

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 °C

2.10

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 °C

365

ns

t r

Kalkma zamanı.

79

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

396

ns

t F

Sonbahar zamanı

165

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

8.00

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

14.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =125 °C

372

ns

t r

Kalkma zamanı.

83

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

420

ns

t F

Sonbahar zamanı

293

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

11.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

22.3

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

14.9

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.04

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.68

NF

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

Ω

L CE

Savrulan endüktansa

22

nH

r CC+EE

Modül Kurşun

Direniş,

Çip'e terminal

0.65

mΩ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

(çip)

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A

t j =25 °C

1.80

2.25

V

t j =125 °C

1.85

Q r

Geri kazanılmış

şarj

Ben F =200A,

V r =600V,

r G =3.3Ω,

V GE =-15V

t j =25 °C

17.2

μC

t j =125 °C

35.3

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

160

A

t j =125 °C

213

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

11.2

mJ

t j =125 °C

21.2