GD200HFK120C8SN, IGBT Modülü, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C8SN

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

Tipik Uygulamalar

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik	Açıklama	Değerler	birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =80 O C	300 200	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	400	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =150 O C	1157	W

Diyot

Sembolik	Açıklama	Değerler	birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı	1200	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Kur kira	200	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	400	A

Modül

Sembolik	Açıklama	Değerler	birim
t jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	150	O C
t Yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40'tan +125'e kadar	O C
t STG	Depolama Sıcaklığı Menzil	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C		2.15	2.60	V
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C		2.65		V
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	4.8	5.7	6.3	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci - Ne?			1.0		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.9		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.82		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE - Hayır. 15...+15V		2.05		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		373		ns
t r	Kalkma zamanı.			104		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			459		ns
t F	Sonbahar zamanı			168		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			12.9		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			17.1		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C		373		ns
t r	Kalkma zamanı.			105		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			475		ns
t F	Sonbahar zamanı			197		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			17.4		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			23.7		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1500		A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben C =200A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65	2.05	V
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben C =200A,V GE =0V,T j =125 O C		1.65		V
Q r	Geri kazanılmış şarj	V r =600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C		17.7		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			145		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			8.1		mJ
Q r	Geri kazanılmış şarj	V r =600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE - Hayır. 15V t j =125 O C		34.0		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			190		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			16.7		mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim
L CE	Savrulan endüktansa			22	nH
r CC+EE	Modül uç direnci e, Terminal'den Çip'e		0.65		mΩ
r - Yürü	İlişki (İGB başına) T) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)			0.108 0.230	K/W
r thCH	Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)		0.135 0.288 0.046		K/W
m	Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		200		G