IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD1600SGL120C3S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

2500

A

1600

Ben CM(1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

3200

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

1600

A

Ben Fm

Diyot maksimum ileri akımı

3200

A

P D

Maksimum güç t j =150 °C

8.3

kw

t SC

Kısa Devre Dayanma Süresi @ T j =125 °C

10

μs

t j

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 ile +125

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V,t=10ms,T j =125 °C

300

kA 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Tork

Güç Terminalı Vuruş: M4

Güç Terminalı Vuruş: M8

1.8 ile 2.1

8.0'dan 10

N.M

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

N.M

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

BV CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE =V CES V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE =V GES V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =64mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =1600A,V GE =15V, t j =25 °C

1.8

V

Ben C =1600A,V GE =15V, t j =125 °C

2.0

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Q GE

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

16.8

μC

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =1600A,

r G =0.82Ω,

V GE =± 15V,T j =25 °C

225

ns

t r

Kalkma zamanı.

105

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1100

ns

t F

Sonbahar zamanı

100

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

148

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

186

mJ

t d(on)

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =1600A,

r G =0.82Ω,

V GE =± 15V,T j =125 °C

235

ns

t r

Kalkma zamanı.

105

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1160

ns

t F

Sonbahar zamanı

105

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

206

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

239

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

119

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

8.32

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

5.44

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

7000

A

r Gint

İç kapı direnci - Çabuk

0.1

Ω

L CE

Savrulan endüktansa

12

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci - Ne? Çip'e terminal

t C =25 °C

0.19

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =1600A

t j =25 °C

2.1

V

t j =125 °C

2.2

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =1600A,

V r =600V,

di/dt=-7500A/μs, V GE =-15V

t j =25 °C

73

μC

t j =125 °C

175

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

510

A

t j =125 °C

790

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

17

mJ

t j =125 °C

46

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θJC

Çekim-kaza (IGBT Parçası, başına) Modül)

15

K/kW

r θJC

Çekim-kağıt (Diyot Parçası, M başına) odül)

26

K/kW

r θCS

Çuvaldan Dökme

(Yönetici yağ uygulanır, r Modülü)

6

K/kW

Ağırlık

Ağırlığı Modül

1500

G