IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD1200HFT120C3S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1800

A

1200

Ben CM (1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

2400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

1200

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

2400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 150°C

5.2

kw

t j

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

Güç Terminalı Vuruş: M8

1.8 ile 2.1

8.0'dan 10

N.M

Tork

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C = 48 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C = 1200A,V GE =15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Ben C = 1200A,V GE =15V, t j = 125°C

2.00

2.45

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

11.5

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =1200A,

r Git =2.4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

600

ns

t r

Kalkma zamanı.

230

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

820

ns

t F

Sonbahar zamanı

150

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

/

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

/

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =1200A,

r Git =2.4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125°C

660

ns

t r

Kalkma zamanı.

220

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

960

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

246

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

191

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

86.1

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

4.50

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

3.90

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

4800

A

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül uç direnci e, Çip'e terminal

t C =25 °C

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F = 1200A

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j = 125°C

1.65

2.15

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F = 1200A,

V r =600V,

r Git =2.4Ω,

V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

69

μC

t j = 125°C

129

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

485

A

t j = 125°C

623

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

32

mJ

t j = 125°C

60

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

İlişki (İGB başına) T)

24

K/kW

r θ JC

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

43

K/kW

r θ CS

Çuvaldan Dökme

(Yönetici yağ uygulanır, Modül)

6

K/kW

Ağırlık

Ağırlığı Modül

1500

G