1200V 1000A
Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 1000A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F=25oC, aksi belirtilmedikçe
IGBT
Sembolik | Açıklama | Değerler | birim |
V CES | Toplayıcı-Sütücü Voltajı | 1200 | V |
V GES | Kapı-Emitör Voltajı | ±20 | V |
Ben Çin | Uygulanan Kolektör Cu Kiralık | 1000 | A |
Ben C | Toplayıcı Akımı @ T F =75 O C | 765 | A |
Ben CRM | Tekrarlayan Zirve Toplayıcı akım tp sınırlı - Ne? t vjop | 2000 | A |
P D | Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C ,t j =175 O C | 1515 | W |
Diyot
Sembolik | Açıklama | Değerler | birim |
V RRM | Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş | 1200 | V |
Ben FN | Uygulanan Kolektör Cu Kiralık | 1000 | A |
Ben F | Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık | 765 | A |
Ben FRM | Tekrarlayan Zirve İleri akım tp sınırlı - Ne? t vjop | 2000 | A |
Ben FSM | Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C | 4100 3000 | A |
Ben 2t | Ben 2t- değer ,t P =10 Bayan @ t vj =25 O C @ T vj =150 O C | 84000 45000 | A 2S |
Modül
Sembolik | Açıklama | değer | birim |
t jmax | En yüksek kavşak sıcaklığı | 175 | O C |
t vjop | Hareket noktası sıcaklığı | -40 ile +150 arasında | O C |
t STG | Depolama sıcaklık aralığı | -40'tan +125'e kadar | O C |
V ISO | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada | 4000 | V |
IGBT Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Test koşulları | Min. | Tipik. | Max. | birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı | Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =25 O C |
| 1.45 | 1.90 |
V |
Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =125 O C |
| 1.65 |
| |||
Ben C =1000A,V GE =15V, t vj =175 O C |
| 1.80 |
| |||
V GE (th ) | Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj | Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C | 5.5 | 6.3 | 7.0 | V |
Ben CES | Toplayıcı Kes -OFF akım | V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA |
Ben GES | Geçit-Emitör Sızıntıları akım | V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | İç kapı direnci - Ne? |
|
| 0.5 |
| Ω |
C ies | Girdi Kapasitesi | V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
| 51.5 |
| NF |
C res | Geriye dönüştürme Kapasite |
| 0.36 |
| NF | |
Q G | Geçit Ücreti | V GE =-15…+15V |
| 13.6 |
| μC |
t D (ON ) | Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, t vj =25 O C |
| 330 |
| ns |
t r | Kalkma zamanı. |
| 140 |
| ns | |
t d (((off) | Kapalı Gecikme süresi |
| 842 |
| ns | |
t F | Sonbahar zamanı |
| 84 |
| ns | |
E ON | Aç Anahtarlama Kayıp |
| 144 |
| mJ | |
E OFF | Kapatma Değiştirme Kayıp |
| 87.8 |
| mJ | |
t D (ON ) | Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, t vj =125 O C |
| 373 |
| ns |
t r | Kalkma zamanı. |
| 155 |
| ns | |
t d (((off) | Kapalı Gecikme süresi |
| 915 |
| ns | |
t F | Sonbahar zamanı |
| 135 |
| ns | |
E ON | Aç Anahtarlama Kayıp |
| 186 |
| mJ | |
E OFF | Kapatma Değiştirme Kayıp |
| 104 |
| mJ | |
t D (ON ) | Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, t vj =175 O C |
| 390 |
| ns |
t r | Kalkma zamanı. |
| 172 |
| ns | |
t d (((off) | Kapalı Gecikme süresi |
| 950 |
| ns | |
t F | Sonbahar zamanı |
| 162 |
| ns | |
E ON | Aç Anahtarlama Kayıp |
| 209 |
| mJ | |
E OFF | Kapatma Değiştirme Kayıp |
| 114 |
| mJ | |
Ben SC |
SC Verileri | t P ≤8μs,V GE =15V, t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3200 |
|
A |
t P ≤6μs,V GE =15V, t vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3000 |
|
A |
Diyot Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Test koşulları | Min. | Tipik. | Max. | Birimler |
V F | Diyot ileriye Voltaj | Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C |
| 1.60 | 2.05 |
V |
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =125 O C |
| 1.70 |
| |||
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =175 O C |
| 1.60 |
| |||
Q r | Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =900A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =25 O C |
| 91.0 |
| μC |
Ben RM | Çığ tersine Geri kazanım akımı |
| 441 |
| A | |
E - Bilmiyorum. | Ters Çıkarma enerji |
| 26.3 |
| mJ | |
Q r | Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =900A, -di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH , t vj =125 O C |
| 141 |
| μC |
Ben RM | Çığ tersine Geri kazanım akımı |
| 493 |
| A | |
E - Bilmiyorum. | Ters Çıkarma enerji |
| 42.5 |
| mJ | |
Q r | Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =900A, -di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH , t vj =175 O C |
| 174 |
| μC |
Ben RM | Çığ tersine Geri kazanım akımı |
| 536 |
| A | |
E - Bilmiyorum. | Ters Çıkarma enerji |
| 52.4 |
| mJ |
NTC Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Test koşulları | Min. | Tipik. | Max. | birim |
r 25 | Rating direnci |
|
| 5.0 |
| KΩ |
∆R/R | Değişim ile ilgili r 100 | t C =100 O C R 100= 493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Güç dağılım |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B değeri | r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | B değeri | r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | B değeri | r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modül Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Min. | Tipik. | Max. | birim |
L CE | Savrulan endüktansa |
| 20 |
| nH |
r CC + EE ’ | Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
| 0.80 |
| mΩ |
r thJF | Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C |
|
| 0.066 0.092 | K/W |
m | Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.M |
G | Ağırlık ile ilgili Modül |
| 400 |
| G |
P | En yüksek basınç Soğutma devresine |
|
| 3 | bar |
∆p | Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk ∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25 O C;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol |
| 47 |
| mbar |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.