Snabb återhämtningsdiod

jag _T(AV)

1208A

V _RRM

2200V 2500V

2800V 3000V

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IF(AV)

Medel framåtriktad ström

180° Halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=85 ℃

150

1208

A

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Återkommande toppström

vid V _RRM

150

100

mA

IFSM

Överspännings framåtström

10ms halvsinusbölj VR=0.6V _RRM

150

16

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1280

A ²s*10 ³

VFO

Tröskelspänning

150

1.62

V

rF

Framåtlutande resistans

0.36

mΩ

VFM

Topp framåtriktad spänning

ITM=1500A, F=24kN

25

2.80

V

IRM

Omvänd återvinningström

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

166

A

trr

Återställningstiden

7

µs

Qrr

återställningsladdning

500

650

µC

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 180 ° sinus, dubbel-sidig kyld Klämkraft 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.005

FM

Monteringskraft

19

26

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

150

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

160

℃

Wt

Vikt

440

G

Översikt

ZT50cT