IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

jagC

Samlarström @ TC=90OC

900

A

jagCM

Pulsad samlarström tP=1 ms

1800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ Tj= 175OC

3409

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

VRRM

Upprepad topp omvänd voltÅlder

1200

V

jagF

Diod kontinuerlig framåtströmhyra

900

A

jagFM

Diodens maximala framåtriktade ström tP=1 ms

1800

A

jagFSM

Överspännings framström tP=10ms @tj=25OC   @ Tj= 150OC

4100

3000

A

jag2t

jag2T-värde, tP=10ms @ Tj=25OC

@ Tj= 150OC

84000

45000

A2s

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

tjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

OC

t- Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

OC

tSTG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

OC

VISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

VCE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jagC=900A,VGenerella=15V, tj=25OC

1.40

1.85

V

jagC=900A,VGenerella=15V, tj=125OC

1.60

jagC=900A,VGenerella=15V, tj= 175OC

1.65

VGenerella(th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jagC= 24,0mA,Vce=VGenerella, tj=25OC

5.5

6.3

7.0

V

jagCES

Samlar Avbrott-Avstängd

Nuvarande

Vce=VCES,VGenerella=0V,

tj=25OC

1.0

mA

jagGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

VGenerella=VGES,Vce=0V,tj=25OC

400

NA

rGint

Inre portmotståndFörhandsbeskrivning

0.5

Ω

Cies

Inmatningskapacitet

Vce=25V, f=100kHz, VGenerella=0V

51.5

NF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.36

NF

QG

Portavgift

VGenerella- Det är inte sant. 15...+15V

13.6

μC

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC=900A,rG= 0,51Ω, Ls= 40nH, VGenerella=-8V/+15V,

tj=25OC

330

N

tr

Uppgångstid

140

N

td(off)

Avstängning Fördröjningstider

842

N

tF

Hösttid

84

N

Epå

Tänd Växling

Förlust

144

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

87.8

MJ

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC=900A,rG= 0,51Ω, Ls= 40nH, VGenerella=-8V/+15V,

tj=125OC

373

N

tr

Uppgångstid

155

N

td(off)

Avstängning Fördröjningstider

915

N

tF

Hösttid

135

N

Epå

Tänd Växling

Förlust

186

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

104

MJ

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC=900A,rG= 0,51Ω, Ls= 40nH, VGenerella=-8V/+15V,

tj= 175OC

390

N

tr

Uppgångstid

172

N

td(off)

Avstängning Fördröjningstider

950

N

tF

Hösttid

162

N

Epå

Tänd Växling

Förlust

209

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

114

MJ

jagSC

SK-uppgifter

tP≤ 8 μs,VGenerella=15V,

tj= 150OC,VCC=800V, VCEM ≤1200V

3200

A

tP≤ 6 μs,VGenerella=15V,

tj= 175OC,VCC=800V, VCEM ≤1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

VF

Diod framåt

Spänning

jagF=900A,VGenerella=0V,Tj=25OC

1.55

2.00

V

jagF=900A,VGenerella=0V,Tj=125OC

1.65

jagF=900A,VGenerella=0V,Tj=175OC

1.55

Qr

Återkrävt avgift

Vr=600V,IF=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGenerella= 8 V,Ls=40nH,tj=25OC

91.0

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

441

A

Erec

Omvänd återhämtning energi

26.3

MJ

Qr

Återkrävt avgift

Vr=600V,IF=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGenerella= 8 V,Ls=40nH,tj=125OC

141

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

493

A

Erec

Omvänd återhämtning energi

42.5

MJ

Qr

Återkrävt avgift

Vr=600V,IF=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGenerella= 8 V,Ls=40nH,tj= 175OC

174

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

536

A

Erec

Omvänd återhämtning energi

52.4

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av r100

tC=100 OC,R100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B25/50

B-värde

r2=R25exp[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

k

B25/80

B-värde

r2=R25exp[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

3411

k

B25/100

B-värde

r2=R25exp[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

Lce

Strömavtryck

20

nH

rCC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

rTJC

Förbindelse till fall (per IGB)T)

Sammanslagning till förpackning (per Di)(s.d.)

0.044

0.076

K/W

rThCH

Hylsa till värmesänk (perIGBT)

Kapsling-till-kylfläns (per diod)

Hylsa till värmesänk (perModul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G