GD900HFA120C6S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =90 O C

900

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

3409

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1800

A

jag FSM

Överspännings framström t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C

4100

3000

A

jag 2T

jag 2T-värde, t P =10ms @ T j =25 O C

@ T j = 150 O C

84000

45000

A 2S

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =900A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.40

1.85

V

jag C =900A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.60

jag C =900A,V Generella =15V, T j = 175 O C

1.65

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

51.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.36

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

13.6

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T j =25 O C

330

N

T R

Uppgångstid

140

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

842

N

T F

Hösttid

84

N

E på

Tänd Växling

Förlust

144

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

87.8

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T j =125 O C

373

N

T R

Uppgångstid

155

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

915

N

T F

Hösttid

135

N

E på

Tänd Växling

Förlust

186

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

104

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

T j = 175 O C

390

N

T R

Uppgångstid

172

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

950

N

T F

Hösttid

162

N

E på

Tänd Växling

Förlust

209

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

114

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤ 8 μs,V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

T P ≤ 6 μs,V Generella =15V,

T j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =900A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

jag F =900A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.65

jag F =900A,V Generella =0V,T j =1 75O C

1.55

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T j =25 O C

91.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

441

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.3

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T j =125 O C

141

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

493

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

42.5

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Generella = 8 V, L S =40 nH ,T j = 175 O C

174

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

536

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

52.4

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

R TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.044

0.076

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G