IGBT-modul 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Modul,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Introduktion
Översikt

Introduktion

Kort introduktion ktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1700V 650A

Funktioner

Låg V ce (satt ) Gräv IGBT Teknologi
10μs kortslutningskapac itet
V ce (satt ) med positiv Temperatur Koefficient
Maximal sammanslagningstemperatur 175O C
Förstorat diod för regenerativ operation
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Hög effekt och termisk cykling kapabil itet

Typisk Tillämpningar

Hög effektomvandlare
Vind- och solkraft
Drivning av dragkraft

Absolut Maximal Betyg T C =25 O C om inte i annat fall Notera

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	1300	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C	4.2	kW

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad toppomvänd spänning	1700	V
jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra	650	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	1300	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +150	O C
V ISO	Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =650A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.90	2.35	V
		jag C =650A,V Generella =15V, T j =125 O C		2.35
		jag C =650A,V Generella =15V, T j = 150 O C		2.45
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			2.3		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		72.3		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		1.75		NF
Q G	Portavgift	V Generella - Det är inte sant. 15...+15V		5.66		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j =25 O C		468		N
T R	Uppgångstid			86		N
T D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			850		N
T F	Hösttid			363		N
E på	Tänd Växling Förlust			226		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			161		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 125O C		480		N
T R	Uppgångstid			110		N
T D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			1031		N
T F	Hösttid			600		N
E på	Tänd Växling Förlust			338		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			226		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V Generella =±15V,T j = 150O C		480		N
T R	Uppgångstid			120		N
T D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			1040		N
T F	Hösttid			684		N
E på	Tänd Växling Förlust			368		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			242		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤ 10 μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V		2600		A

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =650A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		jag F =650A,V Generella =0V,T j = 125O C		1.98
		jag F =650A,V Generella =0V,T j = 150O C		2.02
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 O C		176		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			765		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			87.4		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 125O C		292		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			798		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			159		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150O C		341		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			805		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			192		MJ

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
ΔR/R	Avvikelse av R 100	T C = 100 O C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		18		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.30		mΩ
R TJC	Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)			35.8 71.3	K/kW
R ThCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) Diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		810		G