Alla kategorier

IGBT-modul 1700V

IGBT-modul 1700V

startsida  / Produkter / IGBT-modul / IGBT-modul 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Modul,STARPOWER

1700V 650A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD650HFX170P1S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktionktion

IGBT-modul, producerad av STARPOWER. 1700V 650A

Funktioner

  • Låg Vce(satt) Gräv IGBT Teknologi
  • 10μs kortslutningskapacitet
  • Vce(satt) Med positiv Temperatur Koefficient
  • Maximal sammanslagningstemperatur 175OC
  • Förstorat diod för regenerativoperation
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
  • Hög effekt och termisk cykling kapabilitet

 

Typisk Användning

  • Hög effektomvandlare
  • Vind- och solkraft
  • Drivning av dragkraft

Absolut Maximal Betyg tC=25OC om inte i annat fall Notera

IGBT

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

jagC

Samlarström @ TC=25OC

@ TC= 100OC

1073

650

A

jagCM

Pulsad samlarström tP=1 ms

1300

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ Tj= 175OC

4.2

kW

 

Diod

 

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

jagF

Diod kontinuerlig framåtströmhyra

650

A

jagFM

Diodens maximala framåtriktade ström tP=1 ms

1300

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

tjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

OC

t- Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

OC

tSTG

LagringstemperaturRäckvidd

-40 till +150

OC

VISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t=1 minut.

4000

V

IGBT Egenskaper tC=25OC om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

 

 

VCE (sat)

 

 

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jagC=650A,VGenerella=15V, tj=25OC

 

1.90

2.35

 

 

V

jagC=650A,VGenerella=15V, tj=125OC

 

2.35

 

jagC=650A,VGenerella=15V, tj= 150OC

 

2.45

 

VGenerella(th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jagC= 24,0mA,Vce=VGenerella, tj=25OC

5.6

6.2

6.8

V

jagCES

Samlar Avbrott-Avstängd

Nuvarande

Vce=VCES,VGenerella=0V,

tj=25OC

 

 

5.0

mA

jagGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

VGenerella=VGES,Vce=0V,tj=25OC

 

 

400

NA

rGint

Inre portmotståndFörhandsbeskrivning

 

 

2.3

 

Ω

Cies

Inmatningskapacitet

Vce=25V, f=1MHz,

VGenerella=0V

 

72.3

 

NF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

 

1.75

 

NF

QG

Portavgift

VGenerella- Det är inte sant. 15...+15V

 

5.66

 

μC

tD()

Tidsfördröjning för på-

 

 

VCC= 900 V,IC=650A,     rGon= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGenerella=±15V,Tj=25OC

 

468

 

N

tr

Uppgångstid

 

86

 

N

tD(Avstängd)

Avstängning Fördröjningstider

 

850

 

N

tF

Hösttid

 

363

 

N

E

Tänd Växling

Förlust

 

226

 

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

 

161

 

MJ

tD()

Tidsfördröjning för på-

 

 

VCC= 900 V,IC=650A,     rGon= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGenerella=±15V,Tj= 125OC

 

480

 

N

tr

Uppgångstid

 

110

 

N

tD(Avstängd)

Avstängning Fördröjningstider

 

1031

 

N

tF

Hösttid

 

600

 

N

E

Tänd Växling

Förlust

 

338

 

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

 

226

 

MJ

tD()

Tidsfördröjning för på-

 

 

VCC= 900 V,IC=650A,     rGon= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGenerella=±15V,Tj= 150OC

 

480

 

N

tr

Uppgångstid

 

120

 

N

tD(Avstängd)

Avstängning Fördröjningstider

 

1040

 

N

tF

Hösttid

 

684

 

N

E

Tänd Växling

Förlust

 

368

 

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

 

242

 

MJ

 

jagSC

 

SK-uppgifter

tP≤ 10 μs, VGenerella=15V,

tj= 150OC,VCC= 1000 V,VCEM≤ 1700V

 

 

2600

 

 

A

Diod Egenskaper tC=25OC om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

 

VF

Diod framåt

Spänning

jagF=650A,VGenerella=0V,Tj=25OC

 

1.85

2.30

 

V

jagF=650A,VGenerella=0V,Tj= 125OC

 

1.98

 

jagF=650A,VGenerella=0V,Tj= 150OC

 

2.02

 

Qr

Återkrävt avgift

Vr= 900 V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,VGenerella- Det är inte sant. 15Vtj=25OC

 

176

 

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

 

765

 

A

Erec

Omvänd återhämtningenergi

 

87.4

 

MJ

Qr

Återkrävt avgift

Vr= 900 V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,VGenerella- Det är inte sant. 15V tj= 125OC

 

292

 

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

 

798

 

A

Erec

Omvänd återhämtningenergi

 

159

 

MJ

Qr

Återkrävt avgift

Vr= 900 V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,VGenerella- Det är inte sant. 15V tj= 150OC

 

341

 

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

 

805

 

A

Erec

Omvänd återhämtningenergi

 

192

 

MJ

NTC Egenskaper tC=25OC om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r25

Nominellt motstånd

 

 

5.0

 

ΔR/R

Avvikelse av r100

tC= 100 OC,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

P25

Ström

Dissipation

 

 

 

20.0

mW

B25/50

B-värde

r2=R25exp[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3375

 

k

B25/80

B-värde

r2=R25exp[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3411

 

k

B25/100

B-värde

r2=R25exp[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

 

3433

 

k

Modul Egenskaper tC=25OC om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

Lce

Strömavtryck

 

18

 

nH

rCC+EE

Modul blymotståndTerminal till chip

 

0.30

 

rTJC

Förbindelse till fall (per IGB)T)

Sammanslagning till fall (per D)jod)

 

 

35.8

71.3

K/kW

 

rThCH

Hylsa till värmesänk (perIGBT)

Högsta värmeeffekt (p)Diod)

Hylsa till värmesänk (perModul)

 

13.5

26.9

4.5

 

K/kW

 

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 TerminalanslutningMoment, Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M5

1.8

8.0

3.0

 

2.1

10.0

6.0

 

N.M

G

Vikt av Modul

 

810

 

G

 

Översikt

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000