IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD2400SGT120C4S

Enheter

VCES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

jagC

Samlarström @tC=25℃

@ TC= 100℃

3800

2400

A

jagCM

Pulsad samlarström tP=1ms

4800

A

jagF

Diod kontinuerlig framåtströmhyra

2400

A

jagFM

Diodens maximala framåtriktade ström tP=1 ms

4800

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ Tj=175℃

12.9

kW

tjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t- Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

tSTG

LagringstemperaturRäckvidd

-40 till +125

℃

VISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Montering Vridmoment

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Monteringsskruv:M6

4,25 till 5,75

Vikt

Vikt av Modul

2300

G

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V(BR)CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

tj=25℃

1200

V

jagCES

Samlar Avbrott-Avstängd

Nuvarande

Vce=VCES,VGenerella=0V,tj=25℃

5.0

mA

jagGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

VGenerella=VGES,Vce=0V, tj=25℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

VGenerella(th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jagC= 96mA,Vce=VGenerella, tj=25℃

5.0

5.8

6.5

V

VCE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jagC= 2400A,VGenerella=15V, tj=25℃

1.70

2.15

V

jagC= 2400A,VGenerella=15V, tj=125℃

2.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC= 2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VGenerella=±15V,Tj=25℃

600

N

tr

Uppgångstid

215

N

tD(Avstängd)

Avstängning Fördröjningstider

810

N

tF

Hösttid

145

N

Epå

Tänd Växling

Förlust

/

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

/

MJ

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC= 2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VGenerella=±15V,Tj= 125℃

695

N

tr

Uppgångstid

235

N

tD(Avstängd)

Avstängning Fördröjningstider

970

N

tF

Hösttid

182

N

Epå

Tänd Växling

Förlust

488

MJ

EAvstängd

Avstängning

Förlust

382

MJ

Cies

Inmatningskapacitet

Vce=25V, f=1MHz,

VGenerella=0V

173

NF

CÖvriga

Utgångskapacitet

9.05

NF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

7.85

NF

jagSC

SK-uppgifter

tP≤ 10 μs, VGenerella=15 V,

tj=125°C,VCC= 900 V, VCEM≤1200V

9600

A

QG

Portavgift

VCC=600V,IC= 2400A, VGenerella=-15 ﹍+15V

23.0

μC

rGint

Inre portmotståndFörhandsbeskrivning

0.42

Ω

Lce

Strömavtryck

10

nH

rCC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

VF

Diod framåt

Spänning

jagF= 2400A

VGenerella=0V

tj=25℃

1.65

2.05

V

tj=125℃

1.65

Qr

Återställd

laddning

jagF= 2400A,

Vr=600 V,

rGon=0.3Ω,

VGenerella=-15V

tj=25℃

240

μC

tj=125℃

460

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

tj=25℃

1650

A

tj=125℃

2150

Erec

Omvänd återhämtningenergi

tj=25℃

/

MJ

tj=125℃

208

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

rθJC

Förbindelse till fall (per IGB)T)

11.6

K/kW

rθJC

Sammanslagning till fall (per D)jod)

19.7

K/kW

rθCS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett)Ljuger)

4

K/kW