Högfrekvent tyristor

jag T(AV)

1260A

V DRM ,V RRM

1200V 1400V

Tq

12~28µs

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° Halvsinusbölja 50Hz Dubbel sida kyld,

TC=55 。C

125

1260

A

VDRM VRRM

Upprepande topp avstängningsspänning Upprepande topp omvänd spänning

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

Repetitiv topp avstängd ström Repetitiv topp omvänd ström

vid VDRM vid VRRM

125

80

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10ms halv sinusvåg VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1328

A2s*103

VTO

Tröskelspänning

125

1.65

V

rt

Motstånd på stateslop

0.36

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

VDM= 67%VDRM, till 2000A

Gate-puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

återställningsladdning

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

µC

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

12

28

µs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

20

400

mA

IL

Låsningsström

500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus, dubbel sida kyld klämkraft 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Termisk resistans fall till kylfläns

0.005

FM

Monteringskraft

19

26

kN

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

。C

TSTG

Lagringstemperatur

-40

140

。C

Wt

Vikt

440

G

Översikt

KT50cT