Vattenkylning

VDRM VRRM,

Typ & Kontur

800V

MT3 förpackning

MFx800-08-414S3

1000V

MT3 förpackning

MFx800-10-414S3

1200V

MT3 förpackning

MFx800-12-414S3

1400V

MT3 förpackning

MFx800-14-414S3

1600V

MT3 förpackning

MFx800-16-414S3

1800V

MT3 förpackning

MFx800-18-414S3

1800V

MT3Färgskort

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃)

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。Halv sinusvåg 50 Hz Ensidigt kylt, Tc=55°C

125

800

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

180°halv sinusvåg 50Hz

1256

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

120

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

10 ms halva sinusvåg, VR=0V

125

16

kA

I2t

I2t för smältkoordination

1280

A²s* 10³

VTO

Tröskelspänning

135

0.80

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.26

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM= 1500A

25

1.45

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

tgd

Portstyrd fördröjningstid

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

Tq

Kretskommuterad avstängningstid

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs, di/dt=-10A/μs

125

250

µs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

300

mA

IL

Låsningsström

IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us

25

1500

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

IGD

Ström utan utlösningsgräns

VDM=67%VDRM

125

5

mA

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.065

℃/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.020

℃/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Terminalanslutningstork (M10)

10.0

12.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

2100

G

Översikt

414S3