Luftkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

2000 V

2200V

2500 V

2500 V

MTx1000-20-412F3

MTx1000-22-412F3

MTx1000-25-412F3

MT1000-25-412F3G

MFx1000-20-412F3

MFx1000-22-412F3

MFx1000-25-412F3

MTx står för alla typer av MTC, MTA, MTK

MFx står för alla typer av MFC, MFA, MFK

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj(℃)

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180°halv sinusvåg 50Hz

Ensidig kylning, TC=55℃

125

1000

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1570

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

60

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

18

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

1620

103A2s

VTO

Tröskelspänning

125

0.85

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.24

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

2.40

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

20

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.048

℃/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.030

℃/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

16

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10

12

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

3660

G

Översikt

412F3