Svetsning tyristor/likriktarmodul

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC26-08-224H3

MFC26-10-224H3

MFC26-12-224H3

MFC26-14-224H3

MFC26-16-224H3

MFC26-18-224H3

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

värde

enhet

min

Typ

max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kyld, TC=85 ℃

125

26

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

41

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

15

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM,,t= 10ms halvsin,

125

1.6

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

12.8

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.75

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

7.68

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=80A

25

1.55

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.6

2.5

V

IH

Hållström

10

250

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Vid 1800 sinus. Ensidigt kyld per chip

0.900

℃ /W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Vid 1800 sinus. Ensidigt kyld per chip

0.150

℃ /W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Terminalanslutningstork (M5)

2.5

4.0

N·m

Monteringsmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

100

G

Översikt

224H3