IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

V värde

Enheter

VCES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Kollektorström @ TC=25℃

Kollektorström @ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Pulsad samlarström tp= 1ms

7200

A

IF

Diod kontinuerlig framström

3600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström @ TC=80℃

7200

A

PD

Maximalt effektavledning @ Tj=175℃

20

kW

Tj

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

TSTG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

VISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montering

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Vridmoment

Monteringsskruv:M6

4,25 till 5,75

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V ((BR) CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

Tj=25°C

1700

V

ICES

Kollektorns avskärmningsström

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

NA

VGE (å)

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

Qg

Portavgift

VGE=-15…+15V

42.0

μC

RGint

Inre portmotstånd

Tj=25°C

0.4

Ω

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

N

t

Uppgångstid

205

N

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

1510

N

TF

Hösttid

185

N

EON

Slå-på-switchingförlust

498

MJ

EOFF

Avstängningsswitchförlust

1055

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

N

t

Uppgångstid

225

N

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

1800

N

TF

Hösttid

325

N

EON

Slå-på-switchingförlust

746

MJ

EOFF

Avstängningsswitchförlust

1451

MJ

- Det är sant.

Inmatningskapacitet

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Utgångskapacitet

13.2

NF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

10.5

NF

ISC

SK-uppgifter

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

A

LCE

Strömavtryck

10

nH

RCC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.12

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =3600A

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j =125 ℃

1.90

2.30

Q r

Återkrävt avgift

jag F =3600A,

V r = 900 V,

r Gon =0.4Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

836

μC

t j =125 ℃

1451

jag RM

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

2800

A

t j =125 ℃

3300

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

590

MJ

t j =125 ℃

1051