IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ TC=25oC

Kollektorström @ TC=65oC

4446

3600

A

ICM

Pulsad samlarström tp=1ms

7200

A

PD

Maximal effektförlust @ Tj=175oC

15.3

kW

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

VRRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

IF

Diod kontinuerlig framström

3600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström tp=1ms

7200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

Tjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

^O C

- Vad är det?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

^O C

TSTG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

^O C

VISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

VCE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE (å)

Gränsspänning för utgivare

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

V

ICES

Kollektorns avskärmning

Nuvarande

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Lekkad ström från gate-emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint

Inre portmotstånd

0.53

Ω

- Det är sant.

Inmatningskapacitet

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

8.64

NF

Qg

Portavgift

VGE=+15…+15V

21.6

μC

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

660

N

t

Uppgångstid

280

N

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

1600

N

TF

Hösttid

175

N

EON

Slå på växling

Förlust

650

MJ

EOFF

Avstängning

Förlust

1100

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC

740

N

t

Uppgångstid

290

N

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

1800

N

TF

Hösttid

315

N

EON

Slå på växling

Förlust

800

MJ

EOFF

Avstängning

Förlust

1500

MJ

Td (på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC

780

N

t

Uppgångstid

295

N

Avstängning

Avstängningens fördröjningstid

1850

N

TF

Hösttid

395

N

EON

Slå på växling

Förlust

900

MJ

EOFF

Avstängning

Förlust

1600

MJ

ISC

SK-uppgifter

TP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

VF

Diod framåt

Spänning

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

V

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Återkrävt avgift

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

2600

A

Erec

Energi från omvänd återvinning

490

MJ

Qr

Återkrävt avgift

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

3150

A

Erec

Energi från omvänd återvinning

950

MJ

Qr

Återkrävt avgift

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

3300

A

Erec

Energi från omvänd återvinning

1100

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

LCE

Strömavtryck

6.0

nH

RCC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.12

mΩ

RthJC

Förbindelse till skåp (per IGBT)

Förbindelse till förpackning (per diod)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Hylsa till värmesänka (per IGBT)

Hylsa till värmesänk (per diod)

Hylsa till värmesänka (per modul)

6.5

10.7

4.0

K/kW

M

Terminalanslutningstork, Skruv M4 Terminalanslutningstork, Skruv M8 Monteringskraft, Skruv M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Modulens vikt

2300

G