IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 150 O C

7.40

kW

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =800A,V Generella =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

jag C =800A,V Generella =15V, t j =125 O C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

53.1

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

3.40

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

8.56

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =800A, r G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

90

N

t r

Uppgångstid

81

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

500

N

t F

Hösttid

55

N

E på

Tänd Växling

Förlust

36.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

41.3

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =800A, r G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

115

N

t r

Uppgångstid

92

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

550

N

t F

Hösttid

66

N

E på

Tänd Växling

Förlust

52.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

59.4

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

5200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =800A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

jag F =800A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

56

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

550

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

38.7

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

148

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

920

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

91.8

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

12

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.19

mΩ

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

16.9

26.2

K/kW

r θ CS

Kapsling till kylare (per IGBT)

Kapsling till kylare (per diod)

19.7

30.6

K/kW

r θ CS

Kapsling till kylare

6.0

K/kW

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1500

G