IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD600SGL120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

950

A

600

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175℃

3750

W

t SC

Kortslutningstålighet Tid

10

μs

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

jag 2T-värde, diod

V r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

74000

A 2s

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Monteringsmoment

Signalterminal Skruv:M4

1.1 till 2.0

Skruv för kraftterminalen:M6

2,5 till 5.0

N.M

Montering Skruv: M6

3,0 till 5.0

Vikt

Vikt av Modul

300

G

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C =24 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 ℃

1.9

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j = 125℃

2.1

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G =3Ω,

V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

200

N

t r

Uppgångstid

62

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

510

N

t F

Hösttid

V CC =600V,I C = 600A, r G =3Ω,

V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

60

N

E på

Slå på växling

Förlust

39

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

48

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A,

r G =3Ω,V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

210

N

t r

Uppgångstid

65

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

600

N

t F

Hösttid

75

N

E på

Slå på växling

Förlust

45

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

60

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

41.0

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

3.1

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.0

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10μs,V Generella =15V, t j =125 ℃ ,

V CC = 900 V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modulledmotstånd e, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.18

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =600A

t j =25 ℃

1.8

2.4

V

t j = 125℃

1.9

2.5

Q r

Diod omvänd

återställningsladdning

jag F = 600A,

V r =600 V,

di/dt=-6000A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

65

μC

t j = 125℃

100

jag RM

Diodspik

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

450

A

t j = 125℃

510

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

35

MJ

t j = 125℃

42

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till hölje (IGBT-del, pe) r Modul)

0.04

℃ /W

r θ JC

Junction-to-Case (Diode Part, per Modu (i)

0.09

℃ /W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

℃ /W