IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

1009

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 150 O C

4032

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 O C

2.15

2.60

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =125 O C

2.65

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

40.8

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.64

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

6.35

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 3,3Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

673

N

t r

Uppgångstid

207

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

995

N

t F

Hösttid

154

N

E på

Tänd Växling

Förlust

23.1

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

88.5

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 3,3Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

678

N

t r

Uppgångstid

211

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1047

N

t F

Hösttid

164

N

E på

Tänd Växling

Förlust

29.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

95.4

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

3600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=2750A/μs,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

55.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

288

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.4

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=2750A/μs,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

98.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

375

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

48.5

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.18

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.031

0.070

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G