Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD600HTA120P6HT,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HTA120P6HT
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 600A.

Funktioner

  • Lågt VCE (sat) trench IGBT-teknik
  • Låga bytesförluster
  • 6 μs kortslutningsförmåga
  • VCE (sat) Med positiv Temperatur Koefficient
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad Koppar pinfin Basplatta användande Si3N4 AMB Teknologi

Typisk Användning

  • Fordonsapplikation
  • Hybrid- och elfordon
  • Inverterare för motordrivning

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

600

A

jag C

Samlarström @ T F = 85 O C

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effektförlust ation @ t F =75 O C t j = 175 O C

970

W

Diod

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning Generella

1200

V

jag FN

Implementerad samlare Cu Rent

600

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150

+150 till +175

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D - Sväpnad.

Terminal till värmesink Terminal till terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal till värmesink Terminal till terminal

4.5 4.5

mm

IGBT

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

600

A

jag C

Samlarström @ T F = 85 O C

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effektförlust ation @ t F =75 O C t j = 175 O C

970

W

Diod

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning Generella

1200

V

jag FN

Implementerad samlare Cu Rent

600

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150

+150 till +175

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D - Sväpnad.

Terminal till värmesink Terminal till terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal till värmesink Terminal till terminal

4.5 4.5

mm

IGBT Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.40

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j = 150 O C

1.65

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j = 175 O C

1.70

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.60

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j = 150 O C

1.90

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j = 175 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 15,6 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

6.4

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd

1.67

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

81.2

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.56

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.53

NF

Q G

Portavgift

V ce =600V,I C =600A, V Generella =-8...+15V

5.34

μC

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s =22nH,

V Generella =-8V/+15V, t j =25 O C

290

N

t r

Uppgångstid

81

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

895

N

t F

Hösttid

87

N

E

Tänd Växling Förlust

53.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

47.5

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s =22nH,

V Generella =-8V/+15V, t j = 150 O C

322

N

t r

Uppgångstid

103

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1017

N

t F

Hösttid

171

N

E

Tänd Växling Förlust

84.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

63.7

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s =22nH,

V Generella =-8V/+15V, t j = 175 O C

334

N

t r

Uppgångstid

104

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1048

N

t F

Hösttid

187

N

E

Tänd Växling Förlust

89.8

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

65.4

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2000

A

Diod Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

V

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

1.75

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 75O C

1.70

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.95

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

1.95

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 75O C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V Generella =-8V L s = 22 nH ,t j =25 O C

22.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

304

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

10.8

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V Generella =-8V L s = 22 nH ,t j = 150 O C

46.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

336

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

18.2

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V Generella =-8V L s = 22 nH ,t j = 175 O C

49.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

346

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

19.8

MJ

NTC Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modul Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

8

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

P

V/ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

64

Mbar

P

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

r thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) V/ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

0.103 0.140

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

G

Översikt

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000