Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD600HFX120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 600A.

Funktioner

  • Låg V ce (satt ) Gräv IGBT Teknologi
  • 10μs Kortcirkulat billighet
  • V ce (satt ) Med positiv Temperatur Koefficient
  • Maximal sammanslagningstemperatur 175O C
  • Låg induktansi Fall
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning FWD mot parallell
  • Isolerad koppar basplatt oss HPS DBC-teknik

Typisk Användning

  • Inverter för motordrivning
  • AC och DC servo Drivkraft Förstärkare
  • Oavbruten kraft er strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20

± 30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

873

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

2727

W

Diod

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =125 O C

2.00

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j = 150 O C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd

0.7

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

55.9

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.57

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

4.20

μC

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1,5Ω

- Jag är inte här. s =34nH, V Generella =±15V,T j =25 O C

109

N

t r

Uppgångstid

62

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

469

N

t F

Hösttid

68

N

E

Tänd Växling

Förlust

42.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

46.0

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1,5Ω,

L s = 34 nH ,

V Generella =±15V,T j =125 O C

143

N

t r

Uppgångstid

62

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

597

N

t F

Hösttid

107

N

E

Tänd Växling

Förlust

56.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

70.5

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1,5Ω,

L s = 34 nH ,

V Generella =±15V,T j = 150 O C

143

N

t r

Uppgångstid

68

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

637

N

t F

Hösttid

118

N

E

Tänd Växling

Förlust

61.2

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

77.8

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 25O C

2.05

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

2.10

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, L s = 34 nH ,t j =25 O C

58.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

276

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

20.9

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, L s = 34 nH ,t j =125 O C

109

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

399

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

41.8

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, L s = 34 nH ,t j = 150 O C

124

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

428

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

48.5

MJ

Modul Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.055

0.089

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.032

0.052

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G

Översikt

image(c3756b8d25).png

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000