IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

925

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

3000

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.65

2.00

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

60.8

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.84

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

4.64

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G =1.2Ω,L s =20nH, V Generella =±15V,T j =25 O C

308

N

t r

Uppgångstid

42

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

431

N

t F

Hösttid

268

N

E på

Tänd Växling

Förlust

15.7

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

51.3

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G =1.2Ω, L s =20 nH ,

V Generella =±15V,T j =125 O C

311

N

t r

Uppgångstid

49

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

467

N

t F

Hösttid

351

N

E på

Tänd Växling

Förlust

31.1

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

69.4

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G =1.2Ω, L s =20 nH ,

V Generella =±15V,T j = 150 O C

313

N

t r

Uppgångstid

51

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

475

N

t F

Hösttid

365

N

E på

Tänd Växling

Förlust

34.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

71.1

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 125O C

1.90

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=13040A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j =25 O C

38.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

524

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

34.9

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E - Det är inte sant. 15 V, t j = 125O C

82.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

565

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

54.4

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E - Det är inte sant. 15 V, t j = 150O C

94.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

589

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

55.8

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.050

0.080

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G