Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD450HTT120C7S, IGBT-modul, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1200V 450A.

Funktioner

  • Låg V CE (sat) Grävskedja IGBT-teknologi - Åh, nej.
  • Låg Förluster på grund av byte
  • 10μs Kortcirkulatör
  • RBSOA i kvadrat
  • V CE (sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Låg induktansi Fall
  • Snabbt Mjuk omvänd återhämtning mot parallell FWD
  • Isolerat koppar Seplate med DBC-teknik

Typisk Användning

  • Inverterare för motor Drivkraft
  • AC och DC servo Drivkraft Förstärkare
  • Oavbrutbar strömförsörjning

IGBT-omvandlare t C =25 Om inget annat anges

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD450HTT120C7S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning @ T j =25

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C =25

@ T C =80

650

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

900

A

P för

Total effektförlust @ T j = 175

2155

W

t SC

Kortslutning Tåga tid @ T j = 150

10

μs

Avslutade egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR) CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce =V CES ,V Generella =0V, t j =25

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella =V GES ,V ce =0V, t j =25

400

NA

Om egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V GE(th)

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C = 18,0 mA, V ce =V Generella , t j =25

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =25

1.70

2.15

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =125

1.90

Switching Character istik

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

E

Tänd Växling

Förlust

V CC =600V,I C = 450A, R G =1,6Ω,V Generella = ± 15 V, t j =25

23.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

31.0

MJ

E för

Total Förlust vid byte

54.0

MJ

E

Tänd Växling

Förlust

V CC =600V,I C = 450A, R G =1,6Ω,V Generella = ± 15 V, t j =125

36.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

48.0

MJ

E för

Total Förlust vid byte

84.0

MJ

t d(on)

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G =1,6Ω,

V Generella = ± 15 V, t j =25

160

N

t r

Uppgångstid

90

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

500

N

t F

Hösttid

130

N

t d(on)

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G =1,6Ω,

V Generella = ± 15 V, t j =125

170

N

t r

Uppgångstid

100

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

570

N

t F

Hösttid

160

N

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

32.3

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.69

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.46

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C 10μs,V Generella 15 V, t j =125 ,

V CC = 900 V, V CEM 1200V

1800

A

r Gint

Inre portmotstånd

1.7

Åh

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.3

μC

Diod-omvandlare t C =25 om inte annat Vissa uppmärksammade

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD450HTT120C7S

Enheter

V RRM

Kollektor-emitterspänning @ T j =25

1200

V

jag F

Samma ström t C =80

450

A

jag Från och med den 1 januari

Repetitiv topp framåtström t P = 1 ms

900

A

jag 2t

jag 2T-värde,V r =0V, T P =10 ms, T j = 125

35000

A 2s

Kännetecken Värden

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 450 A, V Generella =0V

t j =25

1.65

2.15

V

t j =125

1.65

Q r

Återkrävt avgift

jag F = 450 A,

V r =600 V,

en effekt av minst 50 W/cm3 V Generella =-15V

t j =25

45.1

N

t j =125

84.6

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25

316

A

t j =125

404

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25

21.1

MJ

t j =125

38.9

Elektrisk Egenskaper av NTC t C =25 om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

r 25

Nominellt motstånd

5.0

ΔR/R

Avvikelse av r 100

t C =100 ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Effektbegränsning

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25Exp[B 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

k

IGBT-modul

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE

Modul blymotstånd C.E., terminal till Chip. @ T C =25

1.1

M Ω

r θJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT )

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.058

0.102

K/W

r θCS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.005

K/W

t j

Maximal temperatur vid korsningen

150

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40

125

Montering

Vridmoment

Effektterminal Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

Montering Skruv: M6

3.0

6.0

N.M

Vikt

Vikt av Modul

910

G

Översikt

image(6778dd5b7b).png

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000