IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

656

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

2054

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

900

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 18,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd

0.7

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

46.6

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.31

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

3.50

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

328

N

t r

Uppgångstid

76

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

539

N

t F

Hösttid

108

N

E på

Tänd Växling

Förlust

19.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

46.6

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 O C

376

N

t r

Uppgångstid

86

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

595

N

t F

Hösttid

214

N

E på

Tänd Växling

Förlust

36.3

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

53.5

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

380

N

t r

Uppgångstid

89

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

608

N

t F

Hösttid

232

N

E på

Tänd Växling

Förlust

41.7

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

55.5

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 25O C

2.00

jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

2.05

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j =25 O C

55.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

518

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.0

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j =125 O C

106

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

633

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

47.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 150 O C

121

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

661

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

53.9

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.073

0.128

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G