IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD450HFL120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

715

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

900

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

2679

W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montering Vridmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

Monteringsskruv:M6

2,5 till 5.0

3,0 till 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 18,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

5.8

7.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, t j =125 ℃

2.20

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 2,2Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 ℃

220

N

t r

Uppgångstid

68

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

475

N

t F

Hösttid

55

N

E på

Tänd Växling

Förlust

48.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

28.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 2,2Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 ℃

250

N

t r

Uppgångstid

72

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

530

N

t F

Hösttid

80

N

E på

Tänd Växling

Förlust

66.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

45.0

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

31.8

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

2.13

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.41

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1950

A

Q G

Portavgift

V CC =600V,I C = 450 A, V Generella =-15 ﹍+15V

4.59

μC

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.7

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.35

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 450 A

V Generella =0V

t j =25 ℃

1.72

2.12

V

t j =125 ℃

1.73

Q r

Återställd

laddning

jag F = 450 A,

V r =600 V,

r G = 2,2Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

36.2

μC

t j =125 ℃

78.1

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

234

A

t j =125 ℃

314

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

19.1

MJ

t j =125 ℃

36.3

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

0.056

K/W

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.107

K/W

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

0.035

K/W

Vikt

Vikt Modul

300

G