IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD400SGT120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

680

400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

@ T C =80 ℃

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

2419

W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montering Vridmoment

Skruv för kraftterminalen:M4

Skruv för kraftterminalen:M6

1.1 till 2.0

2,5 till 5.0

N.M

Monteringsskruv:M6

3,0 till 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.70

2.05

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 1,8Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 ℃

251

N

t r

Uppgångstid

89

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

555

N

t F

Hösttid

128

N

E på

Tänd Växling

Förlust

23.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

39.5

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 1,8Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 ℃

302

N

t r

Uppgångstid

101

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

650

N

t F

Hösttid

179

N

E på

Tänd Växling

Förlust

33.1

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

58.9

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

28.8

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.51

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.31

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1600

A

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.9

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =400A

t j =25 ℃

1.65

2.10

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Återställd

laddning

jag F = 400A,

V r =600 V,

r G = 1,8Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

39.8

μC

t j =125 ℃

75.1

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

275

A

t j =125 ℃

362

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

18.0

MJ

t j =125 ℃

34.1

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

0.067

K/W

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.124

K/W

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

0.035

K/W

Vikt

Vikt Modul

300

G