IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD400SGL120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

650

A

400

jag CM (1)

Pulserande samlare Curre nt

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Kortslutning Tåga tid @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t j

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

jag 2T-värde, diod

V r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2s

V ISO

Isolationsspänning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Monteringsmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

2,5 till 5

N.M

Montering Skruv: M6

3 till 6

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

BV CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Port-sändare

läckström

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Port-sändare

Tröskelspänning

jag C =8 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Samlar till

Satsning av emitter

Spänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.9

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j = 125℃

2.1

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A,

r G =4Ω, V Generella = ± 15 V,

100

N

t r

Uppgångstid

60

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

t j =25 ℃

420

N

t F

Hösttid

V CC =600V,I C = 400A,

r G =4Ω, V Generella = ± 15 V,

t j =25 ℃

60

N

E på

Tänd

Förlust vid byte

33

MJ

E Avstängd

Vänd dig om. -Avstängd

Förlust vid byte

42

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A,

r G =4Ω, V Generella = ± 15 V,

t j = 125℃

120

N

t r

Uppgångstid

60

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

490

N

t F

Hösttid

75

N

E på

Tänd

Förlust vid byte

35

MJ

E Avstängd

Vänd dig om. -Avstängd

Förlust vid byte

46

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

30

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

4

NF

C res

omvänd

Överföringskapacitet

3

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 ℃ , V CC = 900 V,

V CEM ≤ 1200V

1900

A

r Gint

Inre port

motstånd

0.5

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

t C =25 ℃

0.18

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =400A

t j =25 ℃

2.1

2.2

V

t j = 125℃

2.2

2.3

Q r

Diod omvänd

återställningsladdning

jag F = 400A,

V r =600 V,

en effekt av minst 50 W/cm3 V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

40

μC

t j = 125℃

48

jag RM

Diodspik

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

320

A

t j = 125℃

400

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

12

MJ

t j = 125℃

20

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till hölje (IGBT-del, pe) r Modul)

0.05

K/W

r θ JC

Anslutning till förpackning (dioddel per modul) e)

0.09

K/W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

Vikt

Vikt av Modul

300

G