IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD400SGK120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

Symbol

Beskrivning

GD400SGK120C2S

Enheter

V GES

Gate-emitter spänning

± 20V

V

jag C

Samlarström @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

A

400

jag CM(1)

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framström nt

400

A

jag FM

Diod maximal framström nt

800

A

P D

Maximal effekt t j = 150 ℃

2500

W

t SC

Kortslutning Tåga tid @ T j =1 25℃

10

μs

t j

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

jag 2T-värde, diod

V r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2s

V ISO

Isolationsspänning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Montering

Vridmoment

Effektterminal Skruv:M4

Effektterminal Skruv: M6

1.1 till 2.0

2,5 till 5.0

N.M

Montering Skruv: M6

3,0 till 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

BV CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce =V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella =V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V GE(th)

Port-sändare

Tröskelspänning

jag C = 5,0 mA, V ce =V Generella ,

t j =25 ℃

4.5

5.1

5.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V,T j =25 ℃

2.2

V

jag C = 400 A,V Generella =15V,

t j =125 ℃

2.5

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t d(on)

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A,

258

N

t r

Uppgångstid

r G = 3,3Ω, V Generella = ± 15 V,

110

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

t j = 25 ℃

285

N

t F

Hösttid

V CC =600V,I C = 400A,

r G = 3,3Ω, V Generella = ± 15 V, t j = 25 ℃

70

N

E på

Tänd Växling Förlust

45

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

26

MJ

t d(on)

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A,

r G = 3,3Ω, V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

260

N

t r

Uppgångstid

120

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

300

N

t F

Hösttid

80

N

E på

Tänd Växling Förlust

60

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

40

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1,0MHz,

V Generella =0V

74.7

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

3.3

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.64

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 ℃ , V CC = 900 V,

V CEM ≤ 1200V

2400

A

L ce

Strömavtryck

16

nH

r CC + EE ’

Modulled

Motstånd terminal till Chip

t C =25 ℃

0.50

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =400A

t j =25 ℃

2.0

2.3

V

t j =125 ℃

2.2

2.5

Q r

Diod omvänd

återställningsladdning

jag F = 400A,

V r =600 V,

en bredd på minst 10 mm, V Generella =-15V

t j =25 ℃

31

μC

t j =125 ℃

66

jag RM

Diodspik

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

300

A

t j =125 ℃

410

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

12

MJ

t j =125 ℃

28

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θJC

Förbindelse till förpackning (IGBT-del, per 1/2 modul)

0.05

K/W

r θJC

Förbindelse till förpackning (dioddel, per 1/2 modul)

0.08

K/W

r θCS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

Vikt

Vikt av Modul

340

G